konversi bilangan desimal ke bilangan oktal

4:53 PM

konversi bilangan desimal ke bilangan oktal

(23)10 akan diubah menjadi Oktal

23/8 = 2 sisa 7

Jadi :

(23)10 = (27)8

Cara cepat mencari uang di internet ga usah ribet, (pengen cepat kaya di internet dapet dolar) cari yang serba gratisan untuk memudahkan anda semua berikut langkah-langkahnya alamfree akan memberikan secara cuma cuma : klik disini tutorialnya

Incoming search :

konversi desimal ke biner

Add Comment

4:50 PM

Contoh Bahasa

10/2 = 5 sisa 0

5/2 = 2 sisa 1

2/2 = 1 sisa 0

Jadi :
(21)10 = (10101)2

Cara cepat mencari uang di internet ga usah ribet, (pengen cepat kaya di internet dapet dolar) cari yang serba gratisan untuk memudahkan anda semua berikut langkah-langkahnya alamfree akan memberikan secara cuma cuma : klik disini tutorialnya

Incoming search :

konversi bilangan biner ke bilangan desimal

Add Comment

4:46 PM

Konversi Biner ke Desimal:

(1001)2=…………10

=1x23+0x22+0X21+1x20

=8+0+0+1

=910 (Decimal)

( 11011)2=…………10

= 24+23+0+21+20

= 16+8+0+2+1

= 2710 (Decimal)

Cara cepat mencari uang di internet ga usah ribet, (pengen cepat kaya di internet dapet dolar) cari yang serba gratisan untuk memudahkan anda semua berikut langkah-langkahnya alamfree akan memberikan secara cuma cuma : klik disini tutorialnya

Incoming search :

belajar bilangan hexadesimal

Add Comment

4:40 PM

Sistem bilangan berbasis 16

Angka/digit yang digunakan:
0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F

A=10,
B=11,
C=12,
D=13,
E=14,
F=15

Nilai posisinya:
..,163,162,161,160,16-1,...

Contoh:
(11)16 = 1x161 + 1x160
= 16+1
= (17)1

Cara cepat mencari uang di internet ga usah ribet, (pengen cepat kaya di internet dapet dolar) cari yang serba gratisan untuk memudahkan anda semua berikut langkah-langkahnya alamfree akan memberikan secara cuma cuma : klik disini tutorialnya

Incoming search :

belajar bilangan oktal

Add Comment

10:24 AM

Sistem bilangan berbasis 8Nilai posisinya :

Angka/digit yang digunakan:
0,1,2,3,4,5,6,7

.., 84, 83, 82, 81, 80, …

Contoh:
(27)8 =
   = 2x81+7x80
   = 2+8+7+1
   = 16+7
   = (23)10

Cara cepat mencari uang di internet ga usah ribet, (pengen cepat kaya di internet dapet dolar) cari yang serba gratisan untuk memudahkan anda semua berikut langkah-langkahnya alamfree akan memberikan secara cuma cuma : klik disini tutorialnya

Incoming search :

belajar bilangan biner

Add Comment

10:23 AM

Sistem bilangan berbasis 2

Angka/digit yang digunakan: 0 dan 1 Nilai posisinya :

….25,24,23,22,21,20…

Contoh:
(1001)2=
= 1x23+0x22+0X21+1x20
= 8+0+0+1
= 9

Cara cepat mencari uang di internet ga usah ribet, (pengen cepat kaya di internet dapet dolar) cari yang serba gratisan untuk memudahkan anda semua berikut langkah-langkahnya alamfree akan memberikan secara cuma cuma : klik disini tutorialnya

Incoming search :

belajar bilangan desimal

Add Comment

10:20 AM

Sistem bilangan berbasis 10

Angka/digit yang digunakan: 0,1,2,3,4,5,6,7,8,9

Nilai posisinya :

..,103,102,101,100,10-1,...

Contoh:

(1991)10 :

=(1x 103)+(9x10 2)+(9x10 1)+(1x10 0)

= 1x1000+9x100+9x10+1

= 1000+900+90+1

= 1991

besaran besaran satuan dasar si

Add Comment

9:45 AM

Kuantitas Satuan Dasar Simbol
Panjang meter m
Massa kilogram kg
Waktu sekon s
Arus listrik amper A
Temperatur kelvin K
Intensitas cahaya kandela Cd

satuan yang diturunkan

perkalian desimal

Sistem-sistem Satuan Asosiasi pengembangan Ilmu Pengetahuan Inggris telah menetapkan sentimeter sebagai satuan dasar untuk panjang dan gram sebagai satuan dasar untuk massa. Dari sini dikembangkan sistem satuan sentimeter-gram-sekon (CGS). Dalam sistem elektrostatik CGS, satuan muatan listrik diturunkan dari sentimeter, gram, dan sekon dengan menetapkan bahwa permissivitas ruang hampa pada hukum coulumb mengenai muatan listrik adalah satu. Satuan-satuan turunan untuk arus listrik dan potensial listrik dalam sistem elektromagnetik, yaitu amper dan volt digunakan dalam pengukuran-pengukuran praktis.

Kedua satuan ini beserta salah satu dari satuan lainnya seperti:

Coulomb, ohm, henry, farad, dan sebagainya digabungkan di dalam satuan ketiga yang disebut sistem praktis (practical system). Tahun 1960 atas persetujuan internasioal ditunjuk sebagai sistem internasional (SI).

Sistem SI digunakan enam satuan dasar, yaitu meter, kilogram, sekon, dan amper (MKSA) dan sebagai satuanbdasar tambahan adalah derajat kelvin dan lilin (kandela) yaitu sebagai satuan temperatur dan intensitas cahaya, seperti terlihat pada tabel. Demikian pula dibuat pengalian dari satuan- satuan dasar, yaitu dalam sistem desimal seperti terlihat pada tabel perkalian desimal

transistor

Add Comment

8:10 AM

Piranti tiga terminal atau lebih dikenal sebagai “transistor”. Pada bagian ini kita akan pertama-tama membahas transistor bipolar atau BJT (bipolarjunction transistor). Berikutnya akan kita bahas transistor unipolar seperti misalnya FET (field-effect transistor).

Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikan penguatan yang jauh lebih besar dan tanggapan frekuensi yang lebih baik. Pada BJT baik pembawa muatan mayoritas maupun pembawa muatan minoritas mempunyai peranan yang sama pentingnya.

Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p. Untuk jenis n-p-n, BJT terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe-p dengan tingkat doping yang relatif rendah, yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe-n. Karena alasan sejarah pembuatannya, bagian di tengah disebut “basis” (base), salah satu bagian tipe-n (biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut “emitor” (emitter) dan yang lainya sebagai “kolektor” (collector). Secara skematik kedua jenis transistor diperlihatkan padagambar Tanda panah pada gambar 9.1 menunjukkan kaki emitor dan titik dari material tipe-p ke material tipe-n. Perhatikan bahwa untuk jenis n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode. Setiap diode dapat diberi panjar maju atau berpanjar mundur, sehingga transistor dapat memiliki empat modus pengoperasian.

Salah satu modus yang banyak digunakan disebut “modus normal”, yaitu sambungan emitor-basis berpanjar maju dan sambungan kolektor-basis berpanjar mundur. Modus ini juga sering disebut sebagai pengoperasian transistor pada “daerah aktif”.

Pabrikasi BJT
Pabrikasi BJT dapat dilakukan dengan dua teknik, yaitu struktur transistor-alloy melalui difusi dan struktur transistor planar. Gambar 9.2-a menunjukkan struktur transistor alloy n-p-n. Kolektor terbuat dari chip semikonduktor tipe-n dengan ketebalan kurang dari 1 mm2. Daerah basis dibuat dengan proses difusi kemudian dibuat kontak logam untuk dihubungkan dengan kaki basis. Daerah emitor dibuat dengan teknik alloy pada daerah basis. Sebagai hasilnya berupa sebuah pasangan sambungan p-n yang dipisahkan oleh daerah basis kira-kira setebal kertas.

Untuk struktur planar (gambar -b), suatu lapisan tipe-n dengan tingkat doping rendah ditumbuhkan di atas substrat n+ (tanda + menunjukkan tingkat doping sangat tinggi). Setelah melalui proses oksidasi pada permukaan, sebuah jendela (window) dibuka dengan proses penggerusan (etching) dan suatu pengotor (p) dimasukkan ke kristal dengan proses difusi untuk membentuk sambungan (junction). Sekali lagi setelah melalui reoksidasi, sebuah jendela kecil dibuka untuk proses difusi pembentukan daerah emitor (n).

Secara konvensional simbol transistor n-p-n diperlihatkan pada gambar 9.-c dilengkapi dengan tanda panah pada emitor yang menunjukkan aliran muatan positif. Walaupun sebuah transistor n-p-n akan bekerja dengan kedua daerah n dapat berfungsisebagai emitor, namun karena kedua daerah mempunyai tingkat doping dan geometri yang berbeda, maka daerah n yang dimaksud harus diberi label.

Pengoperasian Transistor
Pada gambar 9.3-a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis n-p-n. Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan (gambar 9.3-b). Sambungan emitor berpanjar maju, dengan efek dari tegangan panjar EBV terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas).
Sambungan kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CBV akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.

Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Dengan sambungan emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut operasi normal, pengoperasian di daerah aktif), gerakan pembawa muatan pada transistor n-p-n seperti diskemakan pada gambar 9.4. Komponen terbesar dari arus emitor Ei terdiri atas elektron yang mengalir melewati penurunan tegangan potensial ( EBo VV − ) ke sambungan emitor-basis. Efisiensi emitor (γ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas semua elektron yang terinjeksi dari emitor. Komponen lain adalah aliran lubang dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut. Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah emitor, sehingga arus lubang relatif lebih rendah. Kedua jenis muatan mengalir melalui proses difusi. Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab

i) tidak ada tegangan yang melawannya,
ii) hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan
iii) hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak elektron yang tertangkap lubang dan hilang, yaitu dengan proses rekombinasi.

Dengan proses pabrikasi transistor yang benar, kurang lebih 99 - 99,9% elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (faktor α biasanya berharga sekitar 0,98). Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan akibat penurunan tegangan penghalang.Arus elektron Eiα mendominasi besarnya arus kolektor. Komponen lain dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari pembawa muatan minoritas hasil generasi termal. Jika kita memasang tegaangan EBv pada sambungan emitor-basis, kita menginjeksi arus yang diberikan oleh persamaan arus diode

dimana mV25=TV pada temperatur ruang. CBOI adalah penulisan yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai oI . Fuge factor (η) untuk transistor biasanya tidak diperlukan. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian konvensional, tidak perlu terlalu dirisaukan. Harga arus Ei sangat tergantung pada tegangan EBv .

Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau

β disebut penguatan arus (current gain), dimana harganya akan sangat bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama. β d apat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000, namun biasanya berharga sekitar 100-200.

Untuk rangkaian transistor seperti terlihat pada gambar 9.5, kita melihat bahwa EBv mengontrol arus emitor ( ) Bi1+β , tetapi hanya mencatu arus basis Bi yang relatif rendah. Karena terminal emitor dipakai bersama oleh EBv dan CEv , maka ragkaian tersebut disebut konfigurasi emitor-bersama (common-emitter configuration). Besarnya arus kolektor sepenuhnya tergantung pada tegangan kolektor sepanjang sambungan kolektor-basis berpaanjar mundur. Karenanya arus Ci dapat ditempatkan pada resistor LR menghasilkan tegangan LC Ri yang dapat berharga beberapa volt. Transistor dapat difungsikan untuk penguat arus, tengangan dan daya. Ini akan kita lihat lebih lanjut pada bagian selanjutnya. Hubungan antara Ci dan EBv dapat diukur dengan mudah sama seperti halnya hubungan antara Ei dan EBv . Gambar 9.6 menunjukkan plot Ci dan EBv untuk dua tipe transistor yang relatif murah dalam skala semilogaritmik (linier-logaritma). Nampak bahwa kedua transistor menunjukkan karakteristik eksponensial.

Perlu diperhatikan bahwa EBv adalah tegangan dari emitor ke basis, yaitu

Hubungan antara Ci dan EBv untuk transistor jenis 2N3053 dan BC 107
dalam skala semilogaritmik.

i) Arus emitor ditentukan oleh tegangan
emitor-basis dan keduanya memiliki hubungan eksponensial.
ii) Arus kolektor berharga hampir sama dengan arus emitor dan hampir tidak dipengaruhi oleh tegangan kolektor (jika 0≥CBv ).
iii) Arus basis merupakan fraksi kecil dari arus kolektor dengan faktor BC ii /=β , dimana β adalah merupakan konstanta untuk suatu transistor tertentu.

Kapasitansi

1 Comment

5:11 AM

Kapasitansi didefinisikan sebagaikemampuan dari suatu kapasitor untuk dapat menampung muatan elektron. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1 coulomb = 6.25 x 1018 elektron. Kemudian Michael Faraday membuat postulat bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. Dengan rumus dapat ditulis :

Dalam praktek pembuatan kapasitor, kapasitansi dihitung dengan mengetahui luas area plat metal (A), jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. Dengan rumus dapat di tulis sebagai berikut :

Berikut adalah tabel contoh konstanta (k) dari beberapa bahan dielektrik yang disederhanakan.

Untuk rangkaian elektronik praktis, satuan farad adalah sangat besar sekali. Umumnya kapasitor yang ada di pasaran memiliki satuan :

µF, nF dan pF.

1 Farad = 1.000.000 µF (mikro Farad)

1 µF = 1.000.000 pF (piko Farad)

1 µF = 1.000 nF (nano Farad)

1 nF = 1.000 pF (piko Farad)

1 pF = 1.000 µµF (mikro-mikro Farad)

1 µF = 10 F-6

1 nF = 10 F-9

1 pF = 10 F-12

Konversi satuan penting diketahui untuk memudahkan membaca besaran sebuah kapasitor. Misalnya 0.047µF dapat juga dibaca sebagai 47nF, atau contoh lain 0.1nF sama dengan 100pF. Kondensator diidentikkan mempunyai dua kaki dan dua kutub yaitu positif dan negatif serta memiliki cairan elektrolit dan biasanya berbentuk tabung.

Sedangkan jenis yang satunya lagi kebanyakan nilai kapasitasnya lebih rendah, tidak mempunyai kutub positif atau negatif pada kakinya, kebanyakan berbentuk bulat pipih berwarna coklat, merah, hijau dan lainnya seperti tablet atau kancing baju yang sering disebut kapasitor (capacitor).

wujud dan kapasitor

Berdasarkan kegunaannya kondensator di bagi menjadi :

1. Kondensator tetap (nilai kapasitasnya tetap tidak dapat diubah)

2. Kondensator elektrolit (Electrolit Condenser = Elco)

3. Kondensator variabel (nilai kapasitasnya dapat diubah-ubah)

Pada kapasitor yang berukuran besar, nilai kapasitansi umumnya ditulis dengan angka yang jelas. Lengkap dengan nilai tegangan maksimum dan polaritasnya. Misalnya pada kapasitor elco dengan jelas tertulis kapasitansinya sebesar 100µF25v yang artinya kapasitor/ kondensator tersebut memiliki nilai kapasitansi 100 µF dengan tegangan kerja maksimal yang diperbolehkan sebesar 25 volt.

Kapasitor yang ukuran fisiknya kecil biasanya hanya bertuliskan 2 (dua) atau 3 (tiga) angka saja. Jika hanya ada dua angka, satuannya adalah pF (pico farads). Sebagai contoh, kapasitor yang bertuliskan dua angka 47, maka kapasitansi kapasitor tersebut adalah 47 pF. Jika ada 3 digit, angka pertama dan kedua menunjukkan nilai nominal, sedangkan angka ke-3 adalah faktor pengali. Faktor pengali sesuai dengan angka nominalnya, berturut-turut 1 = 10, 2 = 100, 3 = 1.000, 4 = 10.000, 5 = 100.000 dan seterusnya. Contoh :

Untuk kapasitor polyester nilai kapasitansinya bisa diketahui berdasarkan warna seperti pada resistor.

tabel warna kapasitor

contoh membaca kapasitor

Seperti komponen lainnya, besar kapasitansi nominal ada toleransinya. Pada tabel 2.3 diperlihatkan nilai toleransi dengan kode-kode angka atau huruf tertentu. Dengan tabel tersebut pemakai dapat dengan mudah mengetahui toleransi kapasitor yang biasanya tertera menyertai nilai nominal kapasitor. Misalnya jika tertulis 104 X7R, maka kapasitansinya adalah 100nF dengan toleransi +/-15%. Sekaligus diketahui juga bahwa suhu kerja yang direkomendasikan adalah antara -55Co sampai +125Co .

Dari penjelasan di atas bisa diketahui bahwa karakteristik kapasitor selain kapasitansi juga tak kalah pentingnya yaitu tegangan kerja dan temperatur kerja. Tegangan kerja adalah tegangan maksimum yang diijinkan sehingga kapasitor masih dapat bekerja dengan baik. Misalnya kapasitor 10uF25V, maka tegangan yang bisa diberikan tidak boleh melebihi 25 volt dc. Umumnya kapasitor-kapasitor polar bekerja pada tegangan DC dan kapasitor non-polar bekerja pada tegangan AC. Sedangkan temperatur kerja yaitu batasan temperatur dimana kapasitor masih bisa bekerja dengan optimal. Misalnya jika pada kapasitor tertulis X7R, maka kapasitor tersebut mempunyai suhu kerja yang direkomendasikan antara -55Co sampai +125Co. Biasanya spesifikasi karakteristik ini disajikan oleh pabrik pembuat di dalam datasheet.

RANGKAIAN KAPASITOR

Rangkaian kapasitor secara seri akan mengakibatkan nilai kapasitansi total semakin kecil. Di bawah ini contoh kapasitor yang dirangkai secara seri.

Pada rangkaian kapasitor yang dirangkai secara seri berlaku rumus :

Rangkaian kapasitor secara paralel akan mengakibatkan nilai kapasitansi pengganti semakin besar. Di bawah ini contoh kapasitor yang dirangkai secara paralel.

FUNGSI KAPASITOR

Fungsi penggunaan kapasitor dalam suatu rangkaian :

1. Sebagai kopling antara rangkaian yang satu dengan rangkaian yang lain (pada PS)

2. Sebagai filter dalam rangkaian PS

3. Sebagai pembangkit frekuensi dalam rangkaian antenna

4. Untuk menghemat daya listrik pada lampu neon

5. Menghilangkan bouncing (loncatan api) bila dipasang pada saklar

PASITOR

Kapasitor terdiri dari beberapa tipe, tergantung dari bahan dielektriknya. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian, yaitu kapasitor electrostatic, electrolytic dan electrochemical.

Kapasitor Electrostatic
Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik, film dan mika. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa µF, yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar), polystyrene, polyprophylene, polycarbonate, metalized paper dan lainnya. Mylar, MKM, MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar.

Kapasitor Electrolytic

Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan - di badannya. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas, adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutub positif anoda dan kutub negatif katoda. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum, aluminium, magnesium, titanium, niobium, zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida (oxide film). Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa, seperti pada proses penyepuhan emas. Elektroda metal yang dicelup ke dalam larutan elektrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidasi permukaan plat metal. Contohnya, jika digunakan Aluminium, maka akan terbentuk lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) pada permukaannya.

Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda), lapisan-metal-oksida dan electrolyte (katoda) membentuk kapasitor. Dalam hal ini lapisan-metal-oksida sebagai dielektrik. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis, sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar. Karena alasan ekonomis dan praktis, umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Bahan yang paling banyak dan murah adalah aluminium. Untuk mendapatkan permukaan yang luas, bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Sehingga dengan cara itu dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. Sebagai contoh 100uF, 470uF, 4700uF dan lain-lain, yang sering juga disebut kapasitor elco. Bahan electrolyte pada kapasitor tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Disebut electrolyte padat, tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya, melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. Selain itu karena seluruhnya padat, maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal.

Kapasitor Electrochemical

Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Termasuk kapasitor jenis ini adalah battery dan accu. Pada kenyataannya battery dan accu adalah kapasitor yang sangat baik, karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan, misalnya untuk aplikasi mobil elektrik dan telepon selular.